等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD)有哪些部分組成？
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)哪些部分組成(PECVD)？很多老師不了解PECVD的組成，下面卓聚科技小編為大家介紹一下。
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PECVD），生長樣品腔的管徑60-120mm，它是由高溫管式爐、多路高精度流量控制與供氣系統(tǒng)、機(jī)械泵、真空密封及測量系統(tǒng)、尾氣處理系統(tǒng)組成，極限真空度可達(dá) 10^-5 torr 。
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PECVD）（點(diǎn)擊了解參數(shù)）
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD)主要特點(diǎn)：
1，優(yōu)勢在于各種薄膜材料、低維納米材料等的制備（尤其適用于過渡金屬二維半導(dǎo)體材料的生長與原位摻雜，以及多元二維材料的生長）
2，可選配遠(yuǎn)程等離子射頻發(fā)生系統(tǒng)，可用于各種薄膜材料、低維納米材料等的等離子體輔助生長、刻蝕加工與材料表面修飾（尤其適用于石墨烯、氮化硼等二維材料的無催化生長，缺陷調(diào)控，以及器件制作工藝中的殘膠去除）
3，生長工藝設(shè)計(jì)先進(jìn)，能滿足襯底無催化生長
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