等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)（PECVD）
等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)（PECVD），三溫區(qū)CVD系統(tǒng)，生長樣品腔的管徑60-120mm，它是由高溫管式爐、多路高精度流量控制與供氣系統(tǒng)、機械泵、真空密封及測量系統(tǒng)、尾氣處理系統(tǒng)組成，極限真空度可達 10^-5 torr 。
主要特點：
1，優(yōu)勢在于薄膜材料、低維納米材料等的制備（尤其適用于過渡金屬二維半導體材料的生長與原位摻雜，以及多元二維材料的生長）
2，可選配遠程等離子射頻發(fā)生系統(tǒng)，可用于薄膜材料、低維納米材料等的等離子體輔助生長、刻蝕加工與材料表面修飾（尤其適用于石墨烯、氮化硼等二維材料的無催化生長，缺陷調(diào)控，以及器件制作工藝中的殘膠去除）
3，生長工藝設計先進，能滿足襯底無催化生長
設備主要技術參數(shù)
| 溫控參數(shù) | 單位 | |
| 溫度 | 1200 | ℃ |
| 功率 | 6.5 | kw |
| 溫控精度 | ±1 | ℃ |
| 真空系統(tǒng) | ||
| 真空泵 | 1 x 10-3 (7.5 x 10-4) | mbar (Torr) |
| 真空泵(開氣鎮(zhèn)) | 1.5 x 10-2 (1.1 x 10-2) | mbar (Torr) |
| 真空泵(使用PEPE 油) | 1 x 10-2(7.5 x 10-3) | mbar (Torr) |
| 腔體內(nèi)真空度 | 優(yōu)于2.0*10-2 | Torr |
| 流量控制參數(shù) | ||
| 泄露率 | ＜4×10-9 | atm-cc/secHe |
| 分辨率 | 全量程的0.1% | |
| 響應時間氣特性 | <2 | s |
| 響應時間電特性 | 500 | ms |
| 尾氣吸收參數(shù) | ||
| 材質(zhì) | 殼體鋁合金、不銹鋼 | |
| 吸氣腔 | 聚四氟乙烯 | |
| 等離子體系統(tǒng)參數(shù) | ||
| 功率輸出 | 5 – 300，5 – 500 | W |
| 信號頻率 | 13.56 ±0.005% | MHz |
| 反射功率 | 200 | W |
| 功率穩(wěn)定度 | ±0.1% | |
| 諧波分量 | ≤-50 | dbc |
| 供電電壓 | 187V – 253V —- 頻率50/60HZ |
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