納米位移臺在電子束曝光下如何避免樣品的熱影響
在電子束曝光下使用納米位移臺時，樣品可能會受到電子束的熱影響。為了避免或降低這種影響，可以采取以下措施：
使用低電子束能量： 降低電子束的能量可以減少其在樣品上產生的熱效應。選擇適當?shù)碾娮邮铀匐妷?，使其保持在相對較低的水平，以減少熱損耗。
限制曝光時間： 減少電子束照射的時間，以降低樣品的熱積累。將曝光時間限制在必要的節(jié)點，以獲得所需的成像或分析結果。
使用脈沖電子束： 如果設備支持，可以考慮使用脈沖電子束而非連續(xù)電子束。脈沖電子束照射時間短，有助于減少熱傳導到樣品的程度。
散熱： 提供樣品附近的有效散熱系統(tǒng)，以幫助快速冷卻樣品表面。這可以通過空氣或液體冷卻系統(tǒng)來實現(xiàn)。
使用導熱性好的樣品支持： 選擇具有較好導熱性的樣品支持，以幫助迅速傳遞熱量，防止在樣品上產生過多的熱積累。
考慮樣品固定： 在進行電子束曝光之前，可以考慮使用合適的固定劑或支撐結構來確保樣品的穩(wěn)定性。這有助于減小因電子束造成的振動和熱效應。
避免高電流密度： 盡量避免使用高電子束的電流密度。選擇適當?shù)氖?，以減小對樣品的熱影響。
監(jiān)測溫度： 在實驗過程中監(jiān)測樣品的溫度。使用溫度監(jiān)測設備，如紅外熱像儀或熱電偶，以實時監(jiān)測樣品的溫度，確保不超過安全范圍。
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